China podría fabricar sus propias máquinas de litografía UVE a gran escala antes de 2030, afirma Jensen Huang.
Nvidia considera ese hito cercano y subraya el empuje del ecosistema tecnológico chino.
Empresas como Shanghai Yuliangsheng, SiCarrier y SMEE aparecen tras los primeros avances UVP.
Huawei lidera un prototipo híbrido que usa una fuente LDP en lugar de la más compleja LPP.
Tsinghua y centros como Changchun trabajan en fotorresistencias y espejos de pulido atómico.
Filtraciones apuntan a chips de prueba en 2028 y producción industrial no más allá de 2030.
El proyecto SSMB-UVE aspira a usar el sincrotrón HEPS como fuente UVE compartida para fábricas.
El respaldo estatal y subvenciones aceleran la autonomía frente a ASML y la dependencia de EE. UU.
Si se cumple, cambiaría el mapa global de semiconductores y la carrera por la soberanía tecnológica.
Habrá que vigilar limitaciones técnicas y tiempos reales antes de dar por cerrada la batalla industrial.